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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥21.949421
10
¥20.707002
100
¥19.534908
500
¥18.429155
1000
¥17.385996
Nexperia USA Inc. BUK9K12-60EX
- 收藏
- 对比
BUK9K12-60EX
1729-BUK9K12-60EX
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
SOT-1205, 8-LFPAK56
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MOSFET 2N-CH 60V 35A 56LFPAK
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BUK9K12-60EX详情
Nexperia USA Inc. BUK9K12-60EX重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-1205, 8-LFPAK56
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
最大功率耗散
68W
终端形式
鸥翼
引脚数量
8
参考标准
AEC-Q101; IEC-60134
JESD-30代码
R-PDSO-G6
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
功率 - 最大
68W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
10.7m Ω @ 15A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3470pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
24.5nC @ 5V
漏源电压 (Vdss)
60V
连续放电电流(ID)
35A
漏极-源极导通最大电阻
0.0115Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
204A
DS 击穿电压-最小值
60V
雪崩能量等级(Eas)
118 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BUK9K12-60EX拓展信息
Nexperia USA Inc.
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