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首页 全部分类 BUK9K134-100EX vs DMN10H170SFG-13

BUK9K134-100EX备选型号: DMN10H170SFG-13

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  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Nexperia USA Inc.
    BUK9K134-100EX
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET 2N-CH 100V 8.5A 56LFPAK
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-1205, 8-LFPAK56
    8
    SILICON
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    32W
    鸥翼
    8
    AEC-Q101; IEC-60134
    R-PDSO-G6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    32W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    159m Ω @ 5A, 5V
    2.1V @ 1mA
    755pF @ 25V
    7.4nC @ 5V
    100V
    8.5A
    0.159Ohm
    34A
    100V
    12.6 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN10H170SFG-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    -
    2.9A Ta 8.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    122m Ω @ 3.3A, 10V
    -
    870.7pF @ 25V
    14.9nC @ 10V
    100V
    8.5A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    3V @ 250μA
    e3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    Single
    4.4 ns
    2.3ns
    ±20V
    3.4 ns
    20V
    850μm
    3.35mm
    3.35mm
    无
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