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首页 全部分类 BUK9K134-100EX vs STD10P10F6

BUK9K134-100EX备选型号: STD10P10F6

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 系列
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • Vgs（最大值）
  • Nexperia USA Inc.
    BUK9K134-100EX
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET 2N-CH 100V 8.5A 56LFPAK
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-1205, 8-LFPAK56
    8
    SILICON
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    32W
    鸥翼
    8
    AEC-Q101; IEC-60134
    R-PDSO-G6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    32W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    159m Ω @ 5A, 5V
    2.1V @ 1mA
    755pF @ 25V
    7.4nC @ 5V
    100V
    8.5A
    0.159Ohm
    34A
    100V
    12.6 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD10P10F6
    STMicroelectronics
    MOSFET P-CH 100V 10A
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    SILICON
    10A Tc
    175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    -
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    1 (Unlimited)
    2
    -
    鸥翼
    -
    -
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    -
    P-Channel
    SWITCHING
    180m Ω @ 5A, 10V
    -
    864pF @ 80V
    16.5nC @ 10V
    100V
    10A
    0.18Ohm
    40A
    100V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    4V @ 250μA
    STripFET™ F6
    EAR99
    SINGLE
    未说明
    未说明
    STD10
    ±20V
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