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首页 全部分类 BUK9K17-60EX vs IPG20N06S415AATMA1

BUK9K17-60EX备选型号: IPG20N06S415AATMA1

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  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • DS 击穿电压-最小值
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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 系列
  • 无铅代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 无铅
  • Nexperia USA Inc.
    BUK9K17-60EX
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET 2N-CH 60V 26A 56LFPAK
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-1205, 8-LFPAK56
    8
    SILICON
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    53W
    鸥翼
    8
    AEC-Q101; IEC-60134
    R-PDSO-G6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    53W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    15.6m Ω @ 10A, 10V
    2.1V @ 1mA
    2223pF @ 25V
    16.5nC @ 5V
    60V
    26A
    0.017Ohm
    60V
    64 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPG20N06S415AATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 8TDSON
    12 Weeks
    表面贴装
    Surface Mount, Wettable Flank
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    50W
    FLAT
    -
    -
    -
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    -
    2 N-Channel (Dual)
    -
    15.5m Ω @ 17A, 10V
    4V @ 20μA
    2260pF @ 25V
    29nC @ 10V
    60V
    20A
    0.0155Ohm
    -
    90 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    ROHS3 Compliant
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    yes
    未说明
    not_compliant
    未说明
    无卤素
    60V
    含铅
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