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首页 全部分类 BUK9K32-100EX vs BUK9M34-100EX

BUK9K32-100EX备选型号: BUK9M34-100EX

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  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 配置
  • Vgs（最大值）
  • DS 击穿电压-最小值
  • Nexperia USA Inc.
    BUK9K32-100EX
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET 2N-CH 100V 26A 56LFPAK
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-1205, 8-LFPAK56
    SILICON
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    TrenchMOS™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    雪崩 额定
    64W
    SINGLE
    鸥翼
    8
    AEC-Q101; IEC-60134
    R-PSSO-G4
    2
    Dual
    增强型MOSFET
    DRAIN
    12.6 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    31m Ω @ 5A, 10V
    2.1V @ 1mA
    3168pF @ 25V
    27.3nC @ 5V
    22ns
    100V
    23.1 ns
    26A
    15V
    0.033Ohm
    100V
    106A
    74 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
  • Nexperia USA Inc.
    BUK9M34-100EX
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 100V 29A LFPAK
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-1210, 8-LFPAK33
    SILICON
    29A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
    2016
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    -
    -
    SINGLE
    鸥翼
    -
    AEC-Q101; IEC-60134
    R-PSSO-G4
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    34m Ω @ 5A, 10V
    -
    2844pF @ 25V
    24.7nC @ 5V
    -
    100V
    -
    29A
    -
    0.034Ohm
    -
    114A
    57.8 mJ
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    8
    2.1V @ 1mA
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    ±10V
    100V
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