Nexperia USA Inc. BUK9K32-100EX

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-1205, 8-LFPAK56

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

39.5 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchMOS™

已出版

2013

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

附加功能

雪崩 额定

最大功率耗散

64W

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

引脚数量

8

参考标准

AEC-Q101; IEC-60134

JESD-30代码

R-PSSO-G4

通道数量

2

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

12.6 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

31m Ω @ 5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.1V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3168pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

27.3nC @ 5V

上升时间

22ns

漏源电压 (Vdss)

100V

下降时间（典型值）

23.1 ns

连续放电电流(ID)

26A

栅极至源极电压(Vgs)

15V

漏极-源极导通最大电阻

0.033Ohm

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

106A

雪崩能量等级（Eas）

74 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

ROHS3 Compliant