BUK9K6R8-40EX备选型号: FDD8453LZ-F085
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 引脚数量
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 质量
- 系列
- 无铅代码
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- MOSFET 2N-CH 40V 40A 56LFPAK12 Weeks表面贴装表面贴装SOT-1205, 8-LFPAK568SILICON2-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2013活跃1 (Unlimited)664W鸥翼8AEC-Q101; IEC-60134R-PDSO-G6SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN64W2 N-Channel (Dual)SWITCHING6.1m Ω @ 10A, 10V2.1V @ 1mA3000pF @ 25V22.2nC @ 5V40V40A0.0072Ohm265A40V125 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门ROHS3 Compliant-------------
- MOSFET N-CH 40V 50A DPAK9 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63--50A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)-不用于新设计1 (Unlimited)-------增强型MOSFET--N-Channel-6.7m Ω @ 15A, 10V3V @ 250μA3515pF @ 20V64nC @ 10V-50A------ROHS3 CompliantACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)260.37mgAutomotive, AEC-Q101, PowerTrench®yesFDD8453Single118W10ns±20V7 ns20V75A40V
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRLR3114ZTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 40V 42A DPAK | 对比 |
![]() | FDD8453LZ-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 40V 50A DPAK | 对比 |
![]() | IRLR3114ZPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 40V 42A DPAK | 对比 |




哦! 它是空的。