ON Semiconductor FDD8453LZ-F085
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FDD8453LZ-F085
1807-FDD8453LZ-F085
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
--最小包装量--
FDD8453LZ-F085详情
ON Semiconductor FDD8453LZ-F085重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
9 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
质量
260.37mg
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
50A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
118W Tc
Turn Off Delay Time
43 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
基本部件号
FDD8453
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
118W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
6.7m Ω @ 15A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3515pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
64nC @ 10V
上升时间
10ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
7 ns
连续放电电流(ID)
50A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
75A
漏源击穿电压
40V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDD8453LZ-F085拓展信息
ON Semiconductor
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