您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 BUK9M85-60EX vs IPD800N06NGBTMA1

BUK9M85-60EX备选型号: IPD800N06NGBTMA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 辐射硬化
  • Nexperia USA Inc.
    BUK9M85-60EX
    Nexperia USA Inc.
    BUK9M85-60EX N-Channel MOSFET, 12.8 A, 60 V, 4-Pin LFPAK33, Power33 Nexperia
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-1210, 8-LFPAK33
    SILICON
    12.8A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
    2016
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    SINGLE
    鸥翼
    8
    AEC-Q101; IEC-60134
    R-PSSO-G4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    73m Ω @ 5A, 10V
    2.1V @ 1mA
    434pF @ 25V
    4.4nC @ 5V
    60V
    ±10V
    12.8A
    0.085Ohm
    51A
    60V
    4.55 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD800N06NGBTMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    16A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2006
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    SINGLE
    鸥翼
    4
    -
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    80m Ω @ 16A, 10V
    4V @ 16μA
    370pF @ 30V
    10nC @ 10V
    60V
    ±20V
    16A
    0.08Ohm
    64A
    60V
    43 mJ
    符合RoHS标准
    no
    EAR99
    雪崩 额定
    47W
    7 ns
    38ns
    27 ns
    TO-252AA
    20V
    无
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
NTB18N06T4 NTB18N06T4 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK 对比
BUK7M67-60EX BUK7M67-60EX Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 SOT-1210, 8-LFPAK33 BUK7M67-60E - N-channel 60 V, 67 mO standard level MOSFET in LFPAK33 对比