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首页 全部分类 BUK9M85-60EX vs NTB18N06T4

BUK9M85-60EX备选型号: NTB18N06T4

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  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 无铅
  • Nexperia USA Inc.
    BUK9M85-60EX
    Nexperia USA Inc.
    BUK9M85-60EX N-Channel MOSFET, 12.8 A, 60 V, 4-Pin LFPAK33, Power33 Nexperia
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-1210, 8-LFPAK33
    SILICON
    12.8A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
    2016
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    SINGLE
    鸥翼
    8
    AEC-Q101; IEC-60134
    R-PSSO-G4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    73m Ω @ 5A, 10V
    2.1V @ 1mA
    434pF @ 25V
    4.4nC @ 5V
    60V
    ±10V
    12.8A
    0.085Ohm
    51A
    60V
    4.55 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTB18N06T4
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    SILICON
    15A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2005
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    -
    鸥翼
    3
    -
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    90m Ω @ 7.5A, 10V
    4V @ 250μA
    450pF @ 25V
    22nC @ 10V
    -
    ±20V
    15A
    0.09Ohm
    45A
    -
    61 mJ
    Non-RoHS Compliant
    e0
    Tin/Lead (Sn80Pb20)
    8541.29.00.95
    60V
    240
    not_compliant
    15A
    30
    不合格
    Single
    48.4W
    25ns
    13 ns
    20V
    60V
    含铅
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