Nexperia USA Inc. BUK9M85-60EX

工厂交货时间

26 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-1210, 8-LFPAK33

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12.8A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

31W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

已出版

2016

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

引脚数量

8

参考标准

AEC-Q101; IEC-60134

JESD-30代码

R-PSSO-G4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

73m Ω @ 5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.1V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

434pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4.4nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±10V

连续放电电流(ID)

12.8A

漏极-源极导通最大电阻

0.085Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

51A

DS 击穿电压-最小值

60V

雪崩能量等级（Eas）

4.55 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant