BUK9Y30-75B,115备选型号: PMF3800SN,115
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 漏源电压 (Vdss)
- 源Url状态检查日期
- N-Channel 75 V 30 mOhm Surface Mount Logic Level MOSFET - LFPAK-412 WeeksTin表面贴装SC-100, SOT-669YES44.535924gSILICON34A Tc2V @ 1mA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™2008e3活跃1 (Unlimited)4EAR99逻辑电平兼容SINGLE鸥翼26030SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET85WDRAIN16 nsN-ChannelSWITCHING28m Ω @ 15A, 10V2070pF @ 25V19nC @ 5V106ns±15V83 ns34AMO-23515V75V0.03Ohm75V78 mJ6.35mm6.35mm6.35mm无ROHS3 Compliant无铅--
- MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323--表面贴装SC-70, SOT-323-3--260mA Ta3.3V @ 1mA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)TrenchMOS™2009-Obsolete1 (Unlimited)------------N-Channel-4.5 Ω @ 500mA, 10V40pF @ 10V0.85nC @ 10V-±15V------------ROHS3 Compliant-60V2013-06-14 00:00:00
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BUK7Y35-55B,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SC-100, SOT-669 | MOSFET N-CH 55V 28.43A LFPAK | 对比 |
![]() | PMF3800SN,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SC-70, SOT-323 | MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323 | 对比 |
| BUK9E15-60E,127 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 60V 54A I2PAK | 对比 |





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