Nexperia USA Inc. BUK9Y30-75B,115
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BUK9Y30-75B,115
1729-BUK9Y30-75B,115
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-100, SOT-669
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N-Channel 75 V 30 mOhm Surface Mount Logic Level MOSFET - LFPAK-4
1最小包装量--
BUK9Y30-75B,115详情
Nexperia USA Inc. BUK9Y30-75B,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-100, SOT-669
表面安装
YES
引脚数
4
质量
4.535924g
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
34A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
85W Tc
Turn Off Delay Time
51 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2V @ 1mA
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
已出版
2008
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
附加功能
逻辑电平兼容
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
85W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
16 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
28m Ω @ 15A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2070pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
19nC @ 5V
上升时间
106ns
Vgs(最大值)
±15V
下降时间(典型值)
83 ns
连续放电电流(ID)
34A
JEDEC-95代码
MO-235
栅极至源极电压(Vgs)
15V
最大双电源电压
75V
漏极-源极导通最大电阻
0.03Ohm
漏源击穿电压
75V
雪崩能量等级(Eas)
78 mJ
高度
6.35mm
长度
6.35mm
宽度
6.35mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BUK9Y30-75B,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
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