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BUK9Y59-60E,115备选型号: PMPB40SNA,115
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- 表面安装
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 包装
- 系列
- 已出版
- 操作温度
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 终端形式
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
Mosfet Transistor, N Channel, 16.7 A, 60 V, 0.044 Ohm, 10 V, 1.7 V Rohs Compliant: Yes12 WeeksYES表面贴装SC-100, SOT-6694SILICON37W Tc2.1V @ 1mATape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™2013-55°C~175°C TJe3活跃1 (Unlimited)4Tin (Sn)雪崩 额定鸥翼1Single增强型MOSFET37WDRAIN6.1 nsN-ChannelSWITCHING52m Ω @ 5A, 10V715pF @ 25V6.1nC @ 5V9.9ns±10V7.3 ns16.7AMO-23510V60V0.052Ohm60V67A56 pFnot_compliantROHS3 Compliant无铅-
MOSFET N-CH 60V 12.9A 6DFN--表面贴装6-UDFN Exposed Pad6-12.9A Tc3V @ 250μATape & Reel (TR)-2004-55°C~150°C TJ-Obsolete1 (Unlimited)-------1.7W-9 nsN-Channel-43m Ω @ 4.8A, 10V612pF @ 30V24nC @ 10V23ns±20V-12.9A-20V60V-----符合RoHS标准-Tin- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BSH111,235 | Nexperia USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 55V 0.335A SOT23 | 对比 |
 | PMF3800SN,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SC-70, SOT-323 | MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323 | 对比 |
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