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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥8.323338
10
¥7.852203
100
¥7.407738
500
¥6.988439
1000
¥6.592865
Nexperia USA Inc. BUK9Y59-60E,115
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- 对比
BUK9Y59-60E,115
1729-BUK9Y59-60E,115
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-100, SOT-669
大陆
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Mosfet Transistor, N Channel, 16.7 A, 60 V, 0.044 Ohm, 10 V, 1.7 V Rohs Compliant: Yes
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BUK9Y59-60E,115详情
Nexperia USA Inc. BUK9Y59-60E,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
表面安装
YES
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-100, SOT-669
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Power Dissipation (Max)
37W Tc
Turn Off Delay Time
8.6 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.1V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
16.7A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Number of Elements
1
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
已出版
2013
操作温度
-55°C~175°C TJ
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
雪崩 额定
终端形式
鸥翼
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
37W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
6.1 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
52m Ω @ 5A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
715pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6.1nC @ 5V
上升时间
9.9ns
Vgs(最大值)
±10V
下降时间(典型值)
7.3 ns
连续放电电流(ID)
16.7A
JEDEC-95代码
MO-235
栅极至源极电压(Vgs)
10V
最大双电源电压
60V
漏极-源极导通最大电阻
0.052Ohm
漏源击穿电压
60V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
67A
反馈上限-最大值 (Crss)
56 pF
达到SVHC
not_compliant
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BUK9Y59-60E,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
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