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首页 全部分类 BULB49DT4 vs FJB5555TM

BULB49DT4备选型号: FJB5555TM

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  • 辐射硬化
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  • 已出版
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  • 端子表面处理
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  • 最小工作温度
  • HTS代码
  • 极性
  • 最高频率
  • 最大击穿电压
  • 最小直流增益（hFE）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    BULB49DT4
    STMicroelectronics
    Bipolar Transistors - BJT Hi Vltg Fast Swtchng NPN Pwr Transistor
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    450V
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    80W
    鸥翼
    245
    30
    BULB49
    4
    R-PSSO-G2
    Single
    80W
    SWITCHING
    NPN
    NPN
    450V
    5A
    4 @ 7A 10V
    100μA
    1.2V @ 800mA, 4A
    850V
    10V
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FJB5555TM
    ON Semiconductor
    Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Transistor
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    15 Weeks
    -
    表面贴装
    -
    D2PAK
    3
    -
    400V
    -
    Tape & Reel (TR)
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    1.6W
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    R-PSSO-G2
    Single
    -
    SWITCHING
    -
    -
    400V
    5A
    -
    -
    -
    1.05kV
    14V
    无
    ROHS3 Compliant
    1.31247g
    1.5V
    2012
    yes
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    8541.29.00.95
    NPN
    1MHz
    400V
    20
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
    无铅
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