FJB5555TM
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ON Semiconductor FJB5555TM

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型号

FJB5555TM

utmel 编号

1807-FJB5555TM

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

D2PAK

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Transistor

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FJB5555TM
FJB5555TM ON Semiconductor Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Transistor

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FJB5555TM详情

ON Semiconductor FJB5555TM重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

  • 工厂交货时间

    15 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 包装/外壳

    D2PAK

  • 引脚数

    3

  • 质量

    1.31247g

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    400V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    1.5V

  • Number of Elements

    1

  • hFEMin

    20

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2012

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    2

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • HTS代码

    8541.29.00.95

  • 最大功率耗散

    1.6W

  • 终端形式

    鸥翼

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 极性

    NPN

  • 元素配置

    Single

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    400V

  • 最大集电极电流

    5A

  • 最高频率

    1MHz

  • 最大击穿电压

    400V

  • 集电极基极电压(VCBO)

    1.05kV

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    14V

  • 最小直流增益(hFE)

    20

  • 高度

    4.83mm

  • 长度

    10.67mm

  • 宽度

    9.65mm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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