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首页 全部分类 BUZ31HXKSA1 vs FQP16N15

BUZ31HXKSA1备选型号: FQP16N15

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  • 附加功能
  • 端子位置
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    BUZ31HXKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 200V 14.5A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    14.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SIPMOS®
    2005
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    雪崩 额定
    SINGLE
    3
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    95W
    12 ns
    N-Channel
    200m Ω @ 9A, 5V
    4V @ 1mA
    1120pF @ 25V
    50ns
    200V
    ±20V
    60 ns
    14.5A
    TO-220AB
    20V
    0.2Ohm
    58A
    200V
    200 mJ
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQP16N15
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 150V 16.4A TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    16.4A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    QFET®
    2000
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    108W
    -
    N-Channel
    160mOhm @ 8.2A, 10V
    4V @ 250μA
    910pF @ 25V
    115ns
    150V
    ±25V
    80 ns
    16.4A
    -
    25V
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    TO-220-3
    175°C
    -55°C
    150V
    16.4A
    Single
    30nC @ 10V
    150V
    910pF
    160mOhm
    160 mΩ
    无铅
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