Infineon Technologies BUZ31HXKSA1

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

14.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

95W Tc

Turn Off Delay Time

150 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

SIPMOS®

已出版

2005

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

95W

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

200m Ω @ 9A, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1120pF @ 25V

上升时间

50ns

漏源电压 (Vdss)

200V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

60 ns

连续放电电流(ID)

14.5A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.2Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

58A

DS 击穿电压-最小值

200V

雪崩能量等级（Eas）

200 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准