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BVSS123LT1G备选型号: BSS123NH6433XTMA1
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 安装类型
- 表面安装
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 已出版
- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 无铅
- 底架
- 系列
- 附加功能
- 参考标准
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- DS 击穿电压-最小值
- 高度
- 长度
- 宽度
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3ACTIVE (Last Updated: 11 hours ago)4 WeeksTin表面贴装YESTO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON170mA Ta-55°C~150°C TJ2001Tape & Reel (TR)e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99DUAL鸥翼2603Single增强型MOSFET225mW20 nsN-ChannelSWITCHING6 Ω @ 100mA, 10V2.8V @ 1mA无卤素20pF @ 25V100V±20V170mA20V6OhmROHS3 Compliant无无铅------------
MOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3-10 Weeks-表面贴装-TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON190mA Ta-55°C~150°C TJ2012Cut Tape (CT)-yes活跃1 (Unlimited)3-DUAL鸥翼--Single增强型MOSFET-2.3 nsN-Channel-6 Ω @ 190mA, 10V1.8V @ 13μA-20.9pF @ 25V100V±20V190mA20V6OhmROHS3 Compliant--表面贴装OptiMOS™逻辑电平兼容AEC-Q1010.9nC @ 10V3.2ns22 ns0.19A100V1mm2.9mm1.3mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTR5105PT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 60V 0.196A SOT23 | 对比 |
 | BSS138LT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23 | 对比 |
| BSS123NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3 | 对比 |
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