Infineon Technologies BSS123NH6433XTMA1

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

190mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

500mW Ta

Turn Off Delay Time

7.4 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

OptiMOS™

已出版

2012

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

附加功能

逻辑电平兼容

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

参考标准

AEC-Q101

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

2.3 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

6 Ω @ 190mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.8V @ 13μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

20.9pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.9nC @ 10V

上升时间

3.2ns

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

22 ns

连续放电电流(ID)

190mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.19A

漏极-源极导通最大电阻

6Ohm

DS 击穿电压-最小值

100V

高度

1mm

长度

2.9mm

宽度

1.3mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant