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BVSS123LT1G备选型号: BSS138LT3G
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 表面安装
- 包装/外壳
- 安装类型
- 触点镀层
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 已出版
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 无铅
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 阈值电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-34 WeeksYESTO-236-3, SC-59, SOT-23-3表面贴装Tin3SILICON2.8V @ 1mA40 ns2001Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJe3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99DUAL鸥翼260Single增强型MOSFET225mW20 nsN-ChannelSWITCHING6 Ω @ 100mA, 10V无卤素20pF @ 25V100V±20V170mA20V6OhmROHS3 Compliant无无铅--------------
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-2314 WeeksYESTO-236-3, SC-59, SOT-23-3表面贴装-3SILICON1.5V @ 1mA200mA Ta2005Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJe3yesACTIVE (Last Updated: 3 days ago)1 (Unlimited)3EAR99DUAL鸥翼260Single增强型MOSFET225mW20 nsN-ChannelSWITCHING3.5 Ω @ 200mA, 5V无卤素50pF @ 25V-±20V200mA20V-ROHS3 Compliant无无铅3.5OhmTin (Sn)50V200mA40500mV0.2A50V500 mV5 pF940μm2.9mm1.3mm无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTR5105PT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 60V 0.196A SOT23 | 对比 |
| BSS138LT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23 | 对比 |
 | BSS123NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3 | 对比 |
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