BVSS138LT1G备选型号: 2N7002E-7-F
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- DS 击穿电压-最小值
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 底架
- 质量
- 制造商包装标识符
- 电阻
- 附加功能
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- MOSFET NFET 50V 200MA 3.5OACTIVE (Last Updated: 2 days ago)9 Weeks表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3YES3SILICON200mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2009e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)DUAL鸥翼3Single增强型MOSFET225mW20 nsN-ChannelSWITCHING3.5 Ω @ 200mA, 5V1.5V @ 1mA无卤素50pF @ 25V50V±20V200mA20V0.2A50V5 pF无ROHS3 Compliant无铅--------------
- MOSFET N-Channel-19 Weeks表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3-3SILICON250mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn)DUAL鸥翼3Single增强型MOSFET540mW7 nsN-ChannelSWITCHING3 Ω @ 250mA, 10V2.5V @ 250μA-50pF @ 25V-±20V250mA20V0.24A-5 pF无ROHS3 Compliant无铅表面贴装7.994566mg2N7002E-7-F4Ohm低阈值2604010.22nC @ 4.5V60V1mm2.9mm1.3mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BSS138LT3G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23 | 对比 | |
![]() | 2N7002E-7-F | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-Channel | 对比 |
| BSS138LT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23 | 对比 |



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