C3M0280090D备选型号: IPW65R190C7XKSA1

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 漏源电阻
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 底架
  • 最小工作温度
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
  • 下降时间(典型值)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 输入电容
  • 最大rds
  • 无铅
  • Cree/Wolfspeed
    MOSFET N-CH 900V 11.5A
    16 Weeks
    通孔
    TO-247-3
    3
    TO-247-3
    11.5A Tc
    3.5V @ 1.2mA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    C3M™
    2005
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    N-Channel
    360mOhm @ 7.5A, 15V
    150pF @ 600V
    9.5nC @ 15V
    900V
    +18V, -8V
    11.5A
    2.1V
    280mOhm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
    18 Weeks
    通孔
    TO-247-3
    3
    PG-TO247-3
    13A Tc
    4V @ 290μA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ C7
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    N-Channel
    190mOhm @ 5.7A, 10V
    1150pF @ 400V
    23nC @ 10V
    650V
    ±20V
    13A
    -
    404mOhm
    -
    ROHS3 Compliant
    通孔
    -55°C
    72W
    11 ns
    无卤素
    9 ns
    20V
    650V
    1.15nF
    190 mΩ
    无铅
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