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首页 全部分类 C3M0280090D vs IPW90R500C3FKSA1

C3M0280090D备选型号: IPW90R500C3FKSA1

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  • 阈值电压
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  • 达到SVHC
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  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
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  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Cree/Wolfspeed
    C3M0280090D
    Cree/Wolfspeed
    MOSFET N-CH 900V 11.5A
    16 Weeks
    通孔
    TO-247-3
    3
    TO-247-3
    11.5A Tc
    3.5V @ 1.2mA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    C3M™
    2005
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    N-Channel
    360mOhm @ 7.5A, 15V
    150pF @ 600V
    9.5nC @ 15V
    900V
    +18V, -8V
    11.5A
    2.1V
    280mOhm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPW90R500C3FKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
    -
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    11A Tc
    3.5V @ 740μA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2008
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    N-Channel
    500m Ω @ 6.6A, 10V
    1700pF @ 100V
    68nC @ 10V
    900V
    ±20V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    NO
    SILICON
    e3
    yes
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    TO-247AD
    11A
    0.5Ohm
    24A
    900V
    388 mJ
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