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首页 全部分类 CBTL08GP053EVY vs TS3DDR32611ZQCR

CBTL08GP053EVY备选型号: TS3DDR32611ZQCR

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  • 电压 - 输出
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  • 宽度
  • 器件厚度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    CBTL08GP053EVY
    NXP USA Inc.
    USB Type-C High performance Crossbar Switch IC 40-Pin VF-BGA T/R
    18 Weeks
    表面贴装
    40-VFBGA
    YES
    -40°C~105°C TA
    Tape & Reel (TR)
    2015
    活跃
    3 (168 Hours)
    40
    USB
    BOTTOM
    BALL
    260
    1
    0.5mm
    未说明
    R-PBGA-B40
    3.6V
    8.5GHz
    10Ohm
    消费电路
    1.8V
    4.75mm
    0.99mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Texas Instruments
    TS3DDR32611ZQCR
    Texas Instruments
    IC DDR TERMINATION REG 48BGA
    -
    表面贴装
    48-VFBGA
    -
    -40°C~85°C
    Tape & Reel (TR)
    -
    Obsolete
    2 (1 Year)
    -
    Converter, PCDDR3
    BOTTOM
    BALL
    260
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    4mm
    -
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    48
    333.900683mg
    e1
    yes
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    8542.39.00.01
    TS3DDR32611
    26
    3.6V
    3V
    SPST
    150μA
    0.6V~1.75V
    0.22mA
    150μA
    NO
    1mm
    4mm
    740μm
    无
    无铅
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