CPC3960ZTR备选型号: IPN60R3K4CEATMA1
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 输入电容
- 场效应管特性
- 最大rds
- RoHS状态
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- DS 击穿电压-最小值
- 达到SVHC
- MOSFET N-CH 600V SOT-2238 Weeks表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AASOT-2230V-55°C~125°C TJTape & Reel (TR)2015活跃1 (Unlimited)125°C-55°CN-Channel44Ohm @ 100mA, 0V100pF @ 25V600V±15V100pF耗尽模式44 ΩROHS3 Compliant-----------------------
- MOSFET NCH 600V 2.6A SOT22318 Weeks表面贴装表面贴装SOT-223-3-2.6A Tc-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013活跃1 (Unlimited)--N-Channel3.4 Ω @ 500mA, 10V93pF @ 100V600V±20V-超级交界处-ROHS3 Compliant3SILICONCoolMOS™e3yes3EAR99Tin (Sn)DUAL鸥翼未说明not_compliant未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING3.5V @ 40μA4.6nC @ 10V2.6A3V600V无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NDTL01N60ZT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 600V 0.25A SOT223-4 | 对比 | |
![]() | BSP125L6433HTMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |
![]() | BSP299L6327HUSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET N-CH 500V 0.4A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |





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