Infineon Technologies BSP299L6327HUSA1
- 收藏
- 对比
BSP299L6327HUSA1
1211-BSP299L6327HUSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-261-4, TO-261AA
大陆
立即发货

Trans MOSFET N-CH 500V 0.4A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
--最小包装量--
BSP299L6327HUSA1详情
Infineon Technologies BSP299L6327HUSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
4
供应商器件包装
PG-SOT223-4
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
400mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.8W Ta
Turn Off Delay Time
55 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SIPMOS®
已出版
2009
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
功率耗散
1.8W
接通延迟时间
8 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
4Ohm @ 400mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
400pF @ 25V
上升时间
15ns
漏源电压 (Vdss)
500V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
30 ns
连续放电电流(ID)
400mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
输入电容
400pF
最大rds
4 Ω
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
BSP299L6327HUSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








哦! 它是空的。