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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.95508
10
¥2.787815
100
¥2.630015
500
¥2.48114
1000
¥2.340701
ON Semiconductor NDTL01N60ZT1G
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- 对比
NDTL01N60ZT1G
1807-NDTL01N60ZT1G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-261-4, TO-261AA
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MOSFET N-CH 600V 0.25A SOT223-4
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NDTL01N60ZT1G详情
ON Semiconductor NDTL01N60ZT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
250mA Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
2W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2014
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
电阻
15Ohm
端子表面处理
Tin (Sn)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
15 Ω @ 400mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 50μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
92pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
4.9nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±30V
连续放电电流(ID)
250mA
RoHS状态
符合RoHS标准
NDTL01N60ZT1G拓展信息
ON Semiconductor
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