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首页 全部分类 CPC3980ZTR vs BSP300L6327HUSA1

CPC3980ZTR备选型号: BSP300L6327HUSA1

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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • IXYS Integrated Circuits Division
    CPC3980ZTR
    IXYS Integrated Circuits Division
    MOSFET N-CH 800V SOT-223
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    SOT-223
    0V
    -55°C~125°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    125°C
    -55°C
    N-Channel
    45Ohm @ 100mA, 0V
    115pF @ 25V
    800V
    ±15V
    115pF
    耗尽模式
    45 Ω
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
  • Infineon Technologies
    BSP300L6327HUSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 800V 0.19A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    -
    190mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    20 Ω @ 190mA, 10V
    230pF @ 25V
    800V
    ±20V
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    4
    SILICON
    SIPMOS®
    e3
    yes
    4
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    DUAL
    鸥翼
    4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.8W
    DRAIN
    7 ns
    4V @ 1mA
    16ns
    21 ns
    190mA
    20V
    0.76A
    800V
    36 mJ
    无
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