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首页 全部分类 CPH3456-TL-H vs FDY3000NZ

CPH3456-TL-H备选型号: FDY3000NZ

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  • 端子表面处理
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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
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  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 质量
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  • 终端
  • 电阻
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 通道数量
  • 功率 - 最大
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 场效应管技术
  • 最大结点温度（Tj）
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    CPH3456-TL-H
    ON Semiconductor
    MOSFET DC-DC CONVERTER
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    YES
    3
    SILICON
    3.5A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e6
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    DUAL
    鸥翼
    3
    Single
    增强型MOSFET
    1W
    6.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    71m Ω @ 1.5A, 4.5V
    无卤素
    260pF @ 10V
    2.8nC @ 4.5V
    19ns
    ±12V
    28 ns
    3.5A
    12V
    20V
    900μm
    2.9mm
    1.6mm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDY3000NZ
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 20V 0.6A SC89
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    -
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    FLAT
    -
    Dual
    增强型MOSFET
    625mW
    6 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    700m Ω @ 600mA, 4.5V
    -
    60pF @ 10V
    1.1nC @ 4.5V
    8ns
    -
    8 ns
    600mA
    12V
    20V
    700μm
    1.6mm
    1.2mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 23 hours ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    32mg
    PowerTrench®
    SMD/SMT
    700MOhm
    ESD PROTECTION
    625mW
    2
    446mW
    1.3V @ 250μA
    1V
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    逻辑电平门
    1 V
    无SVHC
    无
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