CPH6020-TL-E备选型号: DMG204B00R
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- JESD-609代码
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- 最大功率耗散
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- 引脚数量
- 配置
- 功率耗散
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 增益
- 转换频率
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
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- RoHS状态
- 无铅
- 底架
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 基本部件号
- 极性
- 元素配置
- 功率 - 最大
- 增益带宽积
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 最大击穿电压
- 频率转换
- 连续集电极电流
- 高度
- 长度
- 宽度
- RF TRANS NPN 8V 16GHZ 6CPHACTIVE (Last Updated: 2 weeks ago)2 Weeks表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6YES68V150°C TJTape & Reel (TR)2013e6yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin/Bismuth (Sn/Bi)700mW16GHz6Single700mWNPNNPN8V150mA60 @ 50mA 5V13.5dB13000MHz15V2V1.2dB @ 1GHzROHS3 Compliant无铅-----------------
- Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm-10 Weeks表面贴装SOT-23-6-610V150°C TJTape & Reel (TR)2010--Discontinued1 (Unlimited)--300mW-----NPN, PNP300mV500mA210 @ 2mA 10V / 130 @ 500mA 2V--60V--符合RoHS标准-表面贴装Mini6-G4-B150°CDMG204NPN, PNPDual300mW250MHz100μA300mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 8mA, 400mA50V 10V10V150MHZ 250MHz-500mA1.1mm2.9mm1.5mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CPH6003A-TL-E | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | ON Semi CPH6003A-TL-E NPN RF Bipolar Transistor; 0.15 A; 12 V; 6-Pin CPH | 对比 |
| FMB3946 | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 6-Pin SuperSOT T/R | 对比 | |
![]() | DMG204B00R | Panasonic Electronic Components | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | SOT-23-6 | Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm | 对比 |




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