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1

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10

￥6.229402
100

￥5.876796
500

￥5.544141
1000

￥5.230326

ON Semiconductor CPH6003A-TL-E

Name: CPH6003A-TL-E
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-CPH6003A-TL-E
Price: 6.6 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

CPH6003A-TL-E

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-CPH6003A-TL-E

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 射频

封装

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

ON Semi CPH6003A-TL-E NPN RF Bipolar Transistor; 0.15 A; 12 V; 6-Pin CPH

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CPH6003A-TL-E ON Semiconductor ON Semi CPH6003A-TL-E NPN RF Bipolar Transistor; 0.15 A; 12 V; 6-Pin CPH

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CPH6003A-TL-E详情

技术参数

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型号对比

ON Semiconductor CPH6003A-TL-E重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间

15 Weeks
安装类型

表面贴装
包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
表面安装

YES
引脚数

6
Collector-Emitter Breakdown Voltage

12V
Number of Elements

1
hFEMin

100
操作温度

150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2013
JESD-609代码

e6
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)
最大功率耗散

800mW
频率

7MHz
引脚数量

6
元素配置

Single
功率耗散

800mW
增益带宽积

7 GHz
极性/通道类型

NPN
晶体管类型

NPN
集电极发射器电压(VCEO)

12V
最大集电极电流

150mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 50mA 5V
增益

9dB
最大击穿电压

12V
集电极基极电压(VCBO)

20V
发射极基极电压 (VEBO)

2V
噪音数字(分贝类型@ f)

1.8dB @ 1GHz
高度

900μm
长度

2.9mm
宽度

1.6mm
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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CPH6003A-TL-E拓展信息

热销零件