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首页 全部分类 CPH6153-P-TL-E vs MSB709-RT1G

CPH6153-P-TL-E备选型号: MSB709-RT1G

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  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
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  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    CPH6153-P-TL-E
    ON Semiconductor
    Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 20V
    表面贴装
    表面贴装
    SC-74, SOT-457
    20V
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    1.3W
    1.3W
    PNP
    195mV
    3A
    200 @ 100mA 2V
    100nA ICBO
    195mV @ 75mA, 1.5A
    500MHz
    -5V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MSB709-RT1G
    ON Semiconductor
    Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V PNP
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    45V
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    200mW
    -
    PNP
    500mV
    100mA
    210 @ 2mA 10V
    100nA
    500mV @ 10mA, 100mA
    -
    7V
    符合RoHS标准
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
    3
    SILICON
    -500mV
    e3
    yes
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -45V
    DUAL
    鸥翼
    260
    -100mA
    40
    MSB709
    3
    不合格
    Single
    200mW
    AMPLIFIER
    PNP
    45V
    -45V
    无铅
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