ON Semiconductor NSS20200W6T1G

生命周期状态

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底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

20V

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

555mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

NSS20200

引脚数量

6

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率 - 最大

555mW

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

100MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

215mV

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 1A 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

215mV @ 20mA, 2A

转换频率

100MHz

最大击穿电压

20V

集电极基极电压(VCBO)

20V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

关断时间-最大值（toff)

445ns

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅