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首页 全部分类 CPH6350-TL-W vs FDC8886

CPH6350-TL-W备选型号: FDC8886

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 无铅
  • 质量
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  • 系列
  • 终止次数
  • HTS代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    CPH6350-TL-W
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin CPH T/R
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    7 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    6A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    not_compliant
    6
    1
    1.6W
    7.4 ns
    P-Channel
    43m Ω @ 3A, 10V
    无卤素
    600pF @ 10V
    13nC @ 10V
    27ns
    30V
    ±20V
    45 ns
    6A
    20V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDC8886
    ON Semiconductor
    MOSFET 30V N-Channel Power Trench MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    6.5A Ta 8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    1.6W
    5 ns
    N-Channel
    23m Ω @ 6.5A, 10V
    -
    465pF @ 15V
    7.4nC @ 10V
    1ns
    -
    ±20V
    1 ns
    6.5A
    20V
    ROHS3 Compliant
    -
    36mg
    SILICON
    PowerTrench®
    6
    8541.29.00.95
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    3V @ 250μA
    MO-193AA
    8A
    0.023Ohm
    30V
    25 pF
    1mm
    3mm
    1.7mm
    无
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