ON Semiconductor FDC8886
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FDC8886
1807-FDC8886
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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MOSFET 30V N-Channel Power Trench MOSFET
--最小包装量--
FDC8886详情
ON Semiconductor FDC8886重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
13 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
质量
36mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6.5A Ta 8A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.6W Ta
Turn Off Delay Time
11 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.6W
接通延迟时间
5 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
23m Ω @ 6.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
465pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
7.4nC @ 10V
上升时间
1ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
1 ns
连续放电电流(ID)
6.5A
JEDEC-95代码
MO-193AA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
8A
漏极-源极导通最大电阻
0.023Ohm
漏源击穿电压
30V
反馈上限-最大值 (Crss)
25 pF
高度
1mm
长度
3mm
宽度
1.7mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDC8886拓展信息
ON Semiconductor
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