您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 CSD13303W1015 vs IRLML6401TRPBF

CSD13303W1015备选型号: IRLML6401TRPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • 终止次数
  • 终端
  • 电阻
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    CSD13303W1015
    Texas Instruments
    MOSFET N-CH NexFET Pwr MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-UFBGA, DSBGA
    6
    31A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    8541.29.00.95
    BOTTOM
    BALL
    CSD13303
    Single
    0.85
    4.6 ns
    N-Channel
    20m Ω @ 1.5A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    715pF @ 6V
    4.7nC @ 4.5V
    10ns
    ±8V
    3.2 ns
    3.5A
    8V
    12V
    31A
    1mm
    1.5mm
    1.8mm
    2mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLML6401TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    4.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    Single
    增强型MOSFET
    11 ns
    P-Channel
    50m Ω @ 4.3A, 4.5V
    950mV @ 250μA
    830pF @ 10V
    15nC @ 5V
    32ns
    ±8V
    210 ns
    -4.3A
    8V
    -12V
    -
    1.12mm
    3.0226mm
    1.397mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    SILICON
    2003
    3
    SMD/SMT
    50mOhm
    HIGH RELIABILITY
    -12V
    260
    -4.3A
    30
    1
    1.3W
    SWITCHING
    12V
    -550mV
    -12V
    150°C
    -550 mV
    无SVHC
    无
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比