Infineon Technologies IRLML6401TRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.3A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.3W Ta

Turn Off Delay Time

250 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2003

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

50mOhm

附加功能

HIGH RELIABILITY

电压 - 额定直流

-12V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-4.3A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.3W

接通延迟时间

11 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

50m Ω @ 4.3A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

950mV @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

830pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15nC @ 5V

上升时间

32ns

漏源电压 (Vdss)

12V

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

210 ns

连续放电电流(ID)

-4.3A

阈值电压

-550mV

栅极至源极电压(Vgs)

8V

漏源击穿电压

-12V

双电源电压

-12V

最大结点温度（Tj）

150°C

栅源电压

-550 mV

高度

1.12mm

长度

3.0226mm

宽度

1.397mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅