Texas Instruments CSD13303W1015

工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

6-UFBGA, DSBGA

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

6

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1.2V @ 250μA

Turn Off Delay Time

14.7 ns

Power Dissipation (Max)

1.65W Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

31A Ta

系列

NexFET™

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

基本部件号

CSD13303

元素配置

Single

操作模式

0.85

接通延迟时间

4.6 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

20m Ω @ 1.5A, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

715pF @ 6V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4.7nC @ 4.5V

上升时间

10ns

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

3.2 ns

连续放电电流(ID)

3.5A

栅极至源极电压(Vgs)

8V

漏源击穿电压

12V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

31A

宽度

1.8mm

长度

1.5mm

高度

1mm

器件厚度

2mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅