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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.623144
10
¥4.361456
100
¥4.11458
500
¥3.881678
1000
¥3.661962
Texas Instruments CSD13303W1015
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- 对比
CSD13303W1015
2502-CSD13303W1015
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-UFBGA, DSBGA
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MOSFET N-CH NexFET Pwr MOSFET
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¥
总价: ¥
CSD13303W1015详情
Texas Instruments CSD13303W1015重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-UFBGA, DSBGA
引脚数
6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
31A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Power Dissipation (Max)
1.65W Ta
Turn Off Delay Time
14.7 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
NexFET™
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
基本部件号
CSD13303
元素配置
Single
操作模式
0.85
接通延迟时间
4.6 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
20m Ω @ 1.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
715pF @ 6V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
4.7nC @ 4.5V
上升时间
10ns
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
3.2 ns
连续放电电流(ID)
3.5A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏源击穿电压
12V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
31A
高度
1mm
长度
1.5mm
宽度
1.8mm
器件厚度
2mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
CSD13303W1015拓展信息
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
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Texas Instruments
Texas Instruments
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