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首页 全部分类 CSD13381F4 vs IRFHM9331TR2PBF

CSD13381F4备选型号: IRFHM9331TR2PBF

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  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 已出版
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  • 最大功率耗散
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • 输入电容
  • 恢复时间
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    CSD13381F4
    Texas Instruments
    MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-XFDFN
    3
    2.1A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    BOTTOM
    无铅
    260
    未说明
    CSD13381
    Single
    0.85
    500mW
    3.7 ns
    N-Channel
    180m Ω @ 500mA, 4.5V
    1.1V @ 250μA
    200pF @ 6V
    1.4nC @ 4.5V
    1.5ns
    3.8 ns
    2.1A
    8V
    12V
    7A
    1.035mm
    635μm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFHM9331TR2PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 11A 3X3 PQFN
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    11A Ta 24A Tc
    -
    Cut Tape (CT)
    HEXFET®
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    2.8W
    11 ns
    P-Channel
    10mOhm @ 11A, 20V
    2.4V @ 25μA
    1543pF @ 25V
    48nC @ 10V
    27ns
    60 ns
    -11A
    25V
    -30V
    -
    2.9972mm
    2.9972mm
    符合RoHS标准
    -
    PQFN (3x3)
    2011
    150°C
    -55°C
    2.8W
    30V
    -1.8V
    1.543nF
    96 ns
    14.6mOhm
    10 mΩ
    -1.8 V
    939.8μm
    无SVHC
    无
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