CSD13381F4T备选型号: IRFHS8342TR2PBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 已出版
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 恢复时间
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PICOSTAR T/R
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-XFDFN
    3
    SILICON
    2.1A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    FemtoFET™
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    BOTTOM
    无铅
    260
    未说明
    CSD13381
    Single
    增强型MOSFET
    500mW
    DRAIN
    3.7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    180m Ω @ 500mA, 4.5V
    1.1V @ 250μA
    200pF @ 6V
    1.4nC @ 4.5V
    1.5ns
    3.8 ns
    2.1A
    850mV
    8V
    0.4Ohm
    12V
    7A
    350μm
    1.035mm
    635μm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    6-PowerVDFN
    6
    -
    8.8A Ta 19A Tc
    -
    Digi-Reel®
    HEXFET®
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    2.1W
    -
    5.9 ns
    N-Channel
    -
    16mOhm @ 8.5A, 10V
    2.35V @ 25μA
    600pF @ 25V
    8.7nC @ 10V
    15ns
    5 ns
    8.8A
    1.8V
    20V
    -
    30V
    -
    950μm
    2.1mm
    2.1mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    -
    PG-TSDSON-6
    2010
    150°C
    -55°C
    2.1W
    30V
    600pF
    17 ns
    16mOhm
    16 mΩ
    1.8 V
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