CSD13381F4T备选型号: IRFHS8342TR2PBF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 已出版
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 漏源电压 (Vdss)
- 输入电容
- 恢复时间
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 辐射硬化
- Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PICOSTAR T/RACTIVE (Last Updated: 3 days ago)6 Weeks表面贴装表面贴装3-XFDFN3SILICON2.1A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)FemtoFET™yes活跃1 (Unlimited)3EAR99BOTTOM无铅260未说明CSD13381Single增强型MOSFET500mWDRAIN3.7 nsN-ChannelSWITCHING180m Ω @ 500mA, 4.5V1.1V @ 250μA200pF @ 6V1.4nC @ 4.5V1.5ns3.8 ns2.1A850mV8V0.4Ohm12V7A350μm1.035mm635μm无SVHCROHS3 Compliant无铅------------
- MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN--表面贴装表面贴装6-PowerVDFN6-8.8A Ta 19A Tc-Digi-Reel®HEXFET®-Obsolete1 (Unlimited)-------Single-2.1W-5.9 nsN-Channel-16mOhm @ 8.5A, 10V2.35V @ 25μA600pF @ 25V8.7nC @ 10V15ns5 ns8.8A1.8V20V-30V-950μm2.1mm2.1mm无SVHC符合RoHS标准-PG-TSDSON-62010150°C-55°C2.1W30V600pF17 ns16mOhm16 mΩ1.8 V无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
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