Texas Instruments CSD13381F4T

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

6 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-XFDFN

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.1A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

500mW Ta

Turn Off Delay Time

11 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

FemtoFET™

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

CSD13381

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

500mW

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

3.7 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

180m Ω @ 500mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

200pF @ 6V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.4nC @ 4.5V

上升时间

1.5ns

下降时间（典型值）

3.8 ns

连续放电电流(ID)

2.1A

阈值电压

850mV

栅极至源极电压(Vgs)

8V

漏极-源极导通最大电阻

0.4Ohm

漏源击穿电压

12V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

7A

高度

350μm

长度

1.035mm

宽度

635μm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅