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首页 全部分类 CSD16323Q3C vs FDS6064N7

CSD16323Q3C备选型号: FDS6064N7

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  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
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  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
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  • 系列
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • Texas Instruments
    CSD16323Q3C
    Texas Instruments
    MOSFET Dual Cool NCh NexFET Power MOSFET
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    21A Ta 60A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    雪崩 额定
    DUAL
    无铅
    260
    未说明
    CSD16323
    8
    S-PDSO-N5
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    3W
    DRAIN
    5.3 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.5m Ω @ 24A, 8V
    1.4V @ 250μA
    1300pF @ 12.5V
    8.4nC @ 4.5V
    15ns
    +10V, -8V
    6.3 ns
    21A
    10V
    60A
    0.0072Ohm
    25V
    112A
    125 mJ
    3.3mm
    3.3mm
    1mm
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS6064N7
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 20V 23A 8-SOIC
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    23A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    3W
    -
    -
    N-Channel
    -
    3.5m Ω @ 23A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    7191pF @ 10V
    98nC @ 4.5V
    22ns
    ±8V
    77 ns
    23A
    8V
    -
    -
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    2003
    20V
    23A
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