您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 CSD16325Q5 vs NTD4854NT4G

CSD16325Q5备选型号: NTD4854NT4G

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 包装/外壳
  • 安装类型
  • 底架
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 系列
  • 包装
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • 器件厚度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 已出版
  • 终端形式
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Texas Instruments
    CSD16325Q5
    Texas Instruments
    MOSFET N-Channel NexFET Power MOSFET
    6 Weeks
    8-PowerTDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    SILICON
    1.4V @ 250μA
    32 ns
    NexFET™
    Cut Tape (CT)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    SMD/SMT
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    DUAL
    260
    CSD16325
    Single
    增强型MOSFET
    3.1W
    DRAIN
    10.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2m Ω @ 30A, 8V
    4000pF @ 12.5V
    25nC @ 4.5V
    16ns
    +10V, -8V
    12 ns
    100A
    1.1V
    10V
    33A
    0.0027Ohm
    25V
    500 mJ
    1.1 V
    6mm
    5mm
    1.05mm
    1mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTD4854NT4G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 25V 15.7A DPAK
    -
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    4
    SILICON
    2.5V @ 250μA
    15.7A Ta 128A Tc
    -
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~175°C TJ
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    -
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    未说明
    -
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    3.6m Ω @ 30A, 10V
    4600pF @ 12V
    49.2nC @ 4.5V
    17.6ns
    ±20V
    8.5 ns
    128A
    -
    20V
    15.7A
    -
    -
    338 mJ
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    -
    无铅
    2008
    鸥翼
    未说明
    R-PSSO-G2
    不合格
    25V
    225A
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
PSMN1R7-25YLC,115 PSMN1R7-25YLC,115 NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 SC-100, SOT-669 Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4 Tab) LFPAK T/R 对比
IRF6892STRPBF IRF6892STRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 DirectFET™ Isometric S3C MOSFET N CH 25V 28A S3 对比
IRLH6224TRPBF IRLH6224TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 20V 28A PQFN 5X6 对比