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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥9.664989
10
¥9.117916
100
¥8.601805
500
¥8.11491
1000
¥7.655579
Infineon Technologies IRLH6224TRPBF
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- 对比
IRLH6224TRPBF
1211-IRLH6224TRPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
大陆
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MOSFET N-CH 20V 28A PQFN 5X6
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IRLH6224TRPBF详情
Infineon Technologies IRLH6224TRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
28A Ta 105A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
3.6W Ta 52W Tc
Turn Off Delay Time
67 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2012
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
配置
Single
功率耗散
3.6W
接通延迟时间
9.4 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
3m Ω @ 20A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.1V @ 50μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3710pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
86nC @ 10V
上升时间
23ns
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
36 ns
连续放电电流(ID)
28A
阈值电压
800mV
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
20V
栅源电压
800 mV
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IRLH6224TRPBF拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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