CSD16408Q5C备选型号: IRFH4253DTRPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 已出版
  • 最大功率耗散
  • 功率 - 最大
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    MOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET
    NRND (Last Updated: 4 weeks ago)
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    22A Ta 113A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    雪崩 额定
    DUAL
    无铅
    260
    未说明
    CSD16408
    8
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    3.1W
    DRAIN
    11.3 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.5m Ω @ 25A, 10V
    2.1V @ 250μA
    1300pF @ 12.5V
    8.9nC @ 4.5V
    25ns
    +16V, -12V
    10.8 ns
    113A
    1.8V
    16V
    25V
    1.8 V
    1.05mm
    5mm
    6mm
    1mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    -
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Dual
    -
    -
    -
    -
    2 N-Channel (Dual)
    -
    3.2m Ω @ 30A, 10V
    2.1V @ 35μA
    1314pF @ 13V
    15nC @ 4.5V
    -
    -
    -
    145A
    1.6V
    20V
    -
    -
    900μm
    6mm
    5mm
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    14 Weeks
    2013
    50W
    31W 50W
    25V
    35A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
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