CSD16408Q5C备选型号: STL90N3LLH6
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 电阻
- 端子表面处理
- JESD-30代码
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 辐射硬化
- MOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFETNRND (Last Updated: 4 weeks ago)Tin表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON22A Ta 113A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e3Obsolete1 (Unlimited)5EAR99雪崩 额定DUAL无铅260未说明CSD164088不合格Single增强型MOSFET3.1WDRAIN11.3 nsN-ChannelSWITCHING4.5m Ω @ 25A, 10V2.1V @ 250μA1300pF @ 12.5V8.9nC @ 4.5V25ns+16V, -12V10.8 ns113A1.8V16V25V1.8 V1.05mm5mm6mm1mm无SVHCROHS3 Compliant含铅-------
- MOSFET N-CH 30V 24A POWERFLAT5X6ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)-表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8SILICON37 ns-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)DeepGATE™, STripFET™ VIe3活跃1 (Unlimited)5EAR99ULTRA-LOW RESISTANCEDUAL-26030STL908-Single增强型MOSFET60WDRAIN9.5 nsN-ChannelSWITCHING4.5m Ω @ 12A, 10V1V @ 250μA1690pF @ 25V17nC @ 4.5V30ns±20V12 ns90A1.7V20V30V1.7 V780μm5mm6mm-无SVHCROHS3 Compliant无铅20 Weeks4.5mOhmMatte Tin (Sn) - annealedR-XDSO-N524A96A无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFH8324TR2PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 18A 5X6 PQFN | 对比 |
![]() | IRFH7932TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56 | 对比 |
![]() | IRFH4253DTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-PowerVDFN | MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN | 对比 |







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