CSD16415Q5备选型号: IRFH8201TRPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 栅源电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 已出版
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 漏源电压 (Vdss)
- 无铅
- MOSFET N-CH 25V 8SONACTIVE (Last Updated: 3 days ago)6 WeeksTin表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON100A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99雪崩 额定DUAL260CSD16415Single增强型MOSFET3.2WDRAIN16.6 nsN-ChannelSWITCHING1.15m Ω @ 40A, 10V1.9V @ 250μA4100pF @ 12.5V29nC @ 4.5V30ns+16V, -12V12.7 ns100A1.5V16V25V200A500 mJ1.5 V230 pF1.05mm5mm6mm1mm无SVHC无ROHS3 Compliant-----
- MOSFET N-CH 25V 100A PQFN-12 Weeks-表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8-49A Ta 100A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®, StrongIRFET™--活跃1 (Unlimited)-EAR99--未说明-Single-3.6W-27 nsN-Channel-0.95m Ω @ 50A, 10V2.35V @ 150μA7330pF @ 13V111nC @ 10V54ns±20V22 ns100A1.8V20V---------无SVHC-ROHS3 Compliant2013未说明125V无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFH8202TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 25V 100A PQFN | 对比 |
| NTMFS4898NFT3G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN, 5 Leads | MOSFET NFET SO8FL 30V 120A 3MOHM | 对比 | |
![]() | IRFH8201TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 25V 100A PQFN | 对比 |




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