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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥10.965313
10
¥10.344635
100
¥9.75909
500
¥9.206688
1000
¥8.685556
Infineon Technologies IRFH8201TRPBF
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- 对比
IRFH8201TRPBF
1211-IRFH8201TRPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
大陆
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MOSFET N-CH 25V 100A PQFN
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IRFH8201TRPBF详情
Infineon Technologies IRFH8201TRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
49A Ta 100A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
3.6W Ta 156W Tc
Turn Off Delay Time
31 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®, StrongIRFET™
已出版
2013
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
通道数量
1
元素配置
Single
功率耗散
3.6W
接通延迟时间
27 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
0.95m Ω @ 50A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.35V @ 150μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
7330pF @ 13V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
111nC @ 10V
上升时间
54ns
漏源电压 (Vdss)
25V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
22 ns
连续放电电流(ID)
100A
阈值电压
1.8V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IRFH8201TRPBF拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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